熔煉石墨坩堝銻浸漬石墨西格里石墨EK90熔煉石墨坩堝銻浸漬石墨西格里石墨EK90

浙江鴻奈德闡述石墨加工后的主要制品有哪些？

闡述石墨加工后的主要制品有哪些？石墨行業的上游企業主要有：1、無煙煤的煅燒企業；2、煤焦油加工生產企業；3、石油焦生產及煅燒企業。炭和石墨制品：

石墨電極類

主要以石油焦、針狀焦為原料，煤瀝青作結合劑，經煅燒、配料、混捏、壓型、焙燒、石墨化、機加工而制成，是在電弧爐中以電弧形式釋放電能對爐料進行加熱熔化的導體，根據其質

石墨產品

量指標高低，可分為普通功率、高功率和超高功率。石墨電極包括：

（1）普通功率石墨電極。允許使用電流密度低于 17A/厘米2的石墨電極，主要用于煉鋼、煉硅、煉黃磷等的普通功率電爐。

（2）抗氧化涂層石墨電極。表面涂覆一層抗氧化保護層的石墨電極，形成既能導電又耐高溫氧化的保護層，降低煉鋼時的電極消耗。

（3）高功率石墨電極。允許使用電流密度為18～25A/厘米2的石墨電極，主要用于煉鋼的高功率電弧爐。

（4）超高功率石墨電極。允許使用電流密度大于 25A/厘米 2的石墨電極。主要用于超高功率煉鋼電弧爐。

石墨陽極類/鴻奈德碳素

主要以石油焦為原料，煤瀝青作粘結劑，經煅燒、配料、混捏、壓型、焙燒、浸漬、石墨化、機加工而制成。一般用于電化學工業中電解設備的導電陽極。包括：

（1）各種化工用陽極板。

（2）各種陽極棒。

特種石墨類/鴻奈德碳素

主要以優質石油焦為原料，煤瀝青或合成樹脂為粘結劑，經原料制備、配料、混捏、壓片、粉碎、再混捏、成型、多次焙燒、多次侵漬、純化及石墨化、機加工而制成。一般用于航天、電子、核工業部門。

它包括光譜純石墨，高純、高強、高密以及熱解石墨等。

石墨熱交換器/鴻奈德

將人造石墨加工成所需要的形狀，再用樹脂浸漬和固化而制成的用于熱交換的不透性石墨制品，它是以人造不透性石墨為基體加工而成的換熱設備，主要用于化學工業。包括：

（1）塊孔式熱交換器；

（2）徑向式熱交換器；

（3）降膜式熱交換器；

（4）列管式熱交換器。

炭電極類/鴻奈德石墨

以炭質材料如無煙煤和冶金焦（或石油焦）為原料、煤瀝青為粘結劑，不經過石墨化，經壓制成型而燒成的導電電極。它不適合熔煉高級合金鋼的電爐。包括：

（l）多灰電極（用無煙煤、冶金焦、瀝青焦生產的電極）；

（2）再生電極（用人造石墨、天然石墨生產的電極）；

（3）炭電阻棒（即炭素格子磚）；

（4）炭陽極（用石油焦生產的預焙陽極）；

（5）焙燒電極毛坯。

炭塊類/鴻奈德石墨

以無煙煤、冶金焦為主要原料，煤瀝青為粘結劑，經原料制備、配料、混粘、成型、焙燒、機加工而制成。其中高爐炭塊作為耐高溫抗腐蝕材料用于砌筑高爐內襯；底部炭塊、側部炭塊、電爐塊則用于鋁電解槽和鐵合金電爐等。包括：

（1）高爐炭塊；

（2）鋁槽炭塊（底部炭塊及側部炭塊）；

（3）電爐炭塊。

炭糊類/鴻奈德石墨

以石油焦、無煙煤、冶金焦為主要原料，煤瀝青為粘結劑而制成。有的用于各種連續自焙電爐作為導電電極使用的電極糊；有的用于連續自焙式鋁槽作為導電陽極使用的陽極糊；有的用于高爐砌筑的填料和耐火泥漿的粗縫糊和細縫糊。高爐用自焙炭塊雖用途不同，但和糊類制品的生產工藝相仿，暫歸在糊類制品內。包括：

（1）陽極糊；

（2）電極糊（包括標準、非標準電極糊）；

（3）底糊（包括多灰、少灰底糊）；

（4）密閉糊（包括多灰、少灰密閉糊）；

（5）其它糊（包括粗縫糊、細縫糊、自焙炭磚等）。

非標準炭、石墨制品類

這是指用炭、石墨制品經過進一步加工而改制成的各種異型炭、石墨制品。包括鏟型陽極、制氟陽極以及各種規格的坩堝、板、棒、塊等異型品。

不透性石墨類

這是指經樹脂及各種有機物浸漬、加工而制成的各種石墨異型品，包括熱交換器的基體塊。

碳碳復合材料(C/C)是以碳為基體，采用聚丙烯睛基碳纖維經過特殊 工藝復合，固化，純化制成，具有高強度，高密度，膨脹小，耐高溫， 抗腐蝕，抗熱震性穩定的特性，適合真空高溫條件下做發熱體，緊固件. 傳動件，支撐盤等，在真空冶金，化工，半導體，電子新能源等領域 應用十分廣泛。

鴻奈德的石墨紙.是將天然鱗片石墨經過處理并晉國高溫軋制而成.具有耐高溫， 耐腐蝕，柔韌性能優異等特點。

鴻奈德石墨具有優異的熱傳導性能，加上熱傳導非常均勻，又具有電磁 感應性能，公司現在開發了系列的生活用碳制品。

石墨的熱傳導性是金屬的4倍以上。

碳繩，是以高強碳纖維編織而成，具有強度高，重量輕，耐熱性能 好，熱膨脹系數小，是高溫爐隔熱材料的輔料。

Sic涂層，產品厚度均勻性好、致密性較好，化學配比性好、性能比較穩 定，導熱系數高，熱膨脹系數小，具有阻氧、阻碳、耐壓、耐磨、自潤 滑、無揮發、抗熱震、抗燒蝕等優良性能。該涂層能夠提高產品質量， 極大的延長部件使用壽命。用于氫化爐的部件，CZ裝置的導流筒和用于 PECVD, MOCVD裝置的晶片載體。